模拟电子技术习题答案1

内容发布更新时间 : 2024/12/27 11:24:08星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

(3) 稳压管在UI和RL变化至何值时功耗最大?其值是否已超过允许值?(U1的变化范围不超过±20%,

RL可任意变化。)

(4) 按照图中的参数,分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力?

解:(1) IR?20?99V?21.6mA,IL??9mA,IZ=12.6mA。 5101kΩ(2) ΔUO?20Ω//1000Ω?(?4V)??0.15V

510Ω?(20Ω//1000Ω)24?9?9?265mW?PZ,超过允许值。 510UImax-UZ?IZmin?28.4mA时,失去稳压能力。 R(3) 当U变化+20%和RL→∞时稳压管的功耗最大。

PZ(max)?(4) 当IL?ILmax ?

九、有两只稳压二极管DZ1、DZ2,其稳定电压分别为VZ1=6V、VZ2 =10V,两管正向导通电压降均为0.7V。如果将它们以不同方式串联后接入电路,可能得到几种不同的电压值?试画出相应的电路图。

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十、二极管电路如图所示,设二极管均为理想二极管,vs=10sinωt(V)。 (1)画出负载RL两端电压vo的波形。 (2)若D3开路,试重画vo的波形。 (3)若D3被短路,会出现什么现象?

(3)若D3被短路,则在输入电压的正半周将使电源短路,烧坏电源。

第四章 三极管及其放大电路

§4.1

一、问答题:

1. 能否用两个二极管背靠背地连接构成一个BJT?

答:不能,因为BJT除了由两个背靠背PN结构成外,还需满足三个内部条件。 2. BJT 的e极、c极能否交换使用?

答:不能,因为e极、c极所对应区域的掺杂浓度和横截面积均不相同。 二、填空题:

1. 三极管实现放大的三个内部条件是(发射区掺杂浓度最高)、(基区最窄)、(集电区横截面积最大)。 2. 三极管具有放大作用的外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。 3. 三极管工作在饱和区时,发射结(正偏),集电结(正偏); 工作在截止区时,发射结(反偏),集电结(反偏)。

4. 工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为( 100 )。

5. 工作在放大状态的三极管,流过发射结的电流主要是(多子的扩散流),流过集电结的电流主要是(漂移电流)。(扩散电流/漂移电流)

6. 反向饱和电流是由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

7.测得某放大电路中三极管的三个电极A、B、C对地点的电位分别为-11、-6、-6.7,则A电极为( 集电 ) 极,B电极为( 发射 )极,C电极为( 基极 )极。

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三、

1.从下图所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型以及它在电路中所处的工作状态。 (1) 是锗管还是硅管?

(2) 是NPN型还是PNP型?

(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)

提示:注意在放大区,硅管UBE?UB?UE?0.7V,锗管UBE?0.3V,且

UCE?UC?UE>0.7V;而处于饱和区时,UCE?0.7V。

解: (a) NPN硅管,工作在饱和状态;

(b) PNP锗管,工作在放大状态; (c) PNP锗管,管子的b-e结已开路; (d) NPN硅管,工作在放大状态; (e) PNP锗管,工作在截止状态; (f) PNP锗管,工作在放大状态; (g) NPN硅管,工作在放大状态; (h) PNP硅管,工作在临界饱和状态。

2.测得放大电路中的两只晶体管的各电极直流电位如图3.2所示。试在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

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3.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。试分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。

四、电路如图所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析UBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压UO的值。

解:(1)当UBB=0时,T处于截止状态,UO=12V。 (2)当UBB=1V时,因为

IB?UBB?UBE?60?ARbUCC?UCES?240?A?Rc

IBS? IB?IBS T 工作在放大状态。

IC?? IB?3mAUO?UCC?ICRc?9V

(3)当UBB=3V时,因为

IB?UBB?UBE?460?ARb

IB?IBS T 工作在饱和状态。 UO?UCES?0V

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