内容发布更新时间 : 2025/6/28 20:02:25星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
多少时间而关闭)。所以大多情况下这个通电/断电的次数会小于启停计数(04)的次数。
通常,硬盘设计的通电次数都很高,如至少5000次,因此这一计数只是寿命参考值,本身不具指标性。
0D(013)软件读取错误率 Soft Read Error Rate
软件读取错误率也称为可校正的读取误码率,就是报告给操作系统的未经校正的读取错误。数据值越低越好,过高则可能暗示盘片磁介质有问题。
AA(170)坏块增长计数 Grown Failing Block Count(Micron 镁光) 读写失败的块增长的总数。
AB(171)编程失败块计数 Program Fail Block Count Flash编程失败块的数量。
AC(172)擦写失败块计数 Erase Fail Block Count 擦写失败块的数量。
AD(173)磨损平衡操作次数(平均擦写次数) / Wear Leveling Count(Micron 镁光)
所有好块的平均擦写次数。
Flash芯片有写入次数限制,当使用FAT文件系统时,需要频繁地更新文件分配表。如果闪存的某些区域读写过于频繁,就会比其它区域磨损的更快,这将明显缩短整个硬盘的寿命(即便其它区域的擦写次数还远小于最大限制)。所以,如果让整个区域具有均匀的写入量,就可明显延长芯片寿命,这称为磨损均衡措施。
AE(174)意外失电计数 Unexpected Power Loss Count 硬盘自启用后发生意外断电事件的次数。
B1(177)磨损范围对比值 Wear Range Delta 磨损最重的块与磨损最轻的块的磨损百分比之差。
B4(180)未用的备用块计数 Unused Reserved Block Count Total(惠普) 固态硬盘会保留一些容量来准备替换损坏的存储单元,所以可用的预留空间数非常重要。这个参数的当前值表示的是尚未使用的预留的存储单元数量。
B5(181)编程失败计数 Program Fail Count 用4个字节显示已编程失败的次数,与(AB)参数相似。
B5(181)非4KB对齐访问数 Non-4k Aligned Access(Micron 镁光) B6(182)擦写失败计数 Erase Fail Count
用4个字节显示硬盘自启用后块擦写失败的次数,与(AC)参数相似。
B7(183)串口降速错误计数 SATA Downshift Error Count
这一项表示了SATA接口速率错误下降的次数。通常硬盘与主板之间的兼容问题会导致SATA传输级别降级运行。
B8(184)I/O错误检测与校正 I/O Error Detection and Correction(IOEDC) “I/O错误检测与校正”是惠普公司专有的SMART IV技术的一部分,与其他制造商的I/O错误检测和校正架构一样,它记录了数据通过驱动器内部高速缓存RAM传输到主机时的奇偶校验错误数量。
B8(184)点到点错误检测计数 End to End Error Detection Count
Intel第二代的34nm固态硬盘有点到点错误检测计数这一项。固态硬盘里有一个
LBA(logical block addressing,逻辑块地址)记录,这一项显示了SSD内部逻辑块地址与真实物理地址间映射的出错次数。
B8(184)原始坏块数 Init Bad Block Count(Indilinx芯片) 硬盘出厂时已有的坏块数量。
B9(185)磁头稳定性 Head Stability(西部数据) 意义不明。
BA(186)感应运算振动检测 nduced Op-Vibration Detection(西部数据) 意义不明。
BB(187)无法校正