内容发布更新时间 : 2025/3/12 7:28:50星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
D.两次存储器访问的最大时间间隔
3.主存储器速度的表示中，TA（存取时间）与TC（存取周期）的关系正确的表述是（B）。 A.TA>TC B.TA
①寄存器 ②Cache ③主存 ④磁盘
A. ①②③ B. ①②③④ C. ③ D. ①③ 6.关于静态存储器、动态存储器，下列叙述中正确的是（D）。
A.通常静态存储器依靠电容上暂存电荷来存储信息，电容上有电荷为1，无电荷为0 B.动态存储器依靠双稳态电路的两个稳定状态来分别存储0和1
C.静态存储器速度较慢，但集成度稍高，动态存储器速度稍快，但集成度低 D.静态存储器速度较快，但集成度稍低，动态存储器速度稍慢，但集成度高 7.动态RAM的刷新单位是（B）。
A.存储单元 B.行 C.列 D.存储位 8.动态RAM采用下列哪种刷新方式时，不存在死时间（B）。
A.集中刷新 B.分散刷新 C.异步刷新 D.都不对
9.若动态RAM每毫秒必须刷新100次，每次刷新需100ns，一个存储周期需要200ns，则刷新占存储器总操作时间的百分比是（C）。
A.0.5% B.1.5% C.1% D.2% 10.下列所述不正确的是（C）。
A.随机存储器可随时存取信息，掉电后信息丢失
B.在访问随机存储器时，访问时间与单元的物理位置无关 C.内存储器中存储的信息均是不可改变的 D.随机存储器和只读存储器可以统一编址
11.设机器字长为32位，存储容量为4MB，若按字编址，其寻址范围是（A）。 A.0?1MW-1 B.0?1MB-1 C.0?4MW-1 D.0?4MB-1 12.下述说法正确的是（B）。
A.EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种 B.EPROM是可改写的，但它不能作为随机存储器用 C.EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器用 D.EPROM是只能改写一次的只读存储器 13.地址总线A0（高位）?A15（低位），用4K×4位的存储芯片组成16KB存储器，则产生片选信号的译码器的输入地址线应该是（A）。
A.A2A3 B.A0A1 C.A12A13 D.A14A15 14.组成2M×8位的内存，可以使用（C）。
A.1M×8为芯片进行位扩展 B.1M×4位芯片进行字扩展 C.2M×4位芯片进行位扩展 D.2M×4位芯片进行字扩展 15.高位交叉编址和低位交叉编址的多模块存储器哪一种更方便扩充容量（A）。 A.高位交叉 B.低位交叉 C.同样任意 D.无法比较
16.已知单个存储体的存取周期为T，CPU连续从四体高位交叉存储器中取出N个字需要时间为（C）。
A.4T B.(N-1)T C.NT D.无法确定 17.如果一个存储单元被访问，则这个存储单元及其相邻的单元可能很快被访问