第2章晶体管答案

内容发布更新时间 : 2024/6/16 19:55:51星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。

习题答案

2.1 已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图2.1所示。试画出各晶体管的电路符号,确定每管的b、e、c极,并说明是锗管还是硅管。

0.7V -0.7V 4V 4V 0V

(a)

8V

0V

(b)

-8V

3.7V

(c)

1V

9V

(d)

4.3V

题图2.1

解:

8V

题图(a):

0.7V

硅NPN 0V

题图(b):

-0.7V

-8V 硅PNP 0V

1V

题图(c):

3.7V

锗PNP 4V

题图(d):

4.3V

9V 锗NPN 4V

2.2 某个晶体管的β=25,当它接到电路中时,测得两个电极上的电流分别为50 mA和2mA,能否确定第三个电极上的电流数值?

解:不能。因为第三个电极上的电流与管子的工作状态有关。当管子处于放大状态时,第三个电极上的电流为52mA;而当管子处于饱和状态时,则电流为48mA。

1

2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图2.3所示,试判别各晶体管的工作状态(放大、饱和、截止或损坏)。

-5V 2.5V -0.3V

3AX81 3BX1 3V

0V (a)

(b) 题图2.3

解:题图(a)3AX为PNP锗管,UBE??0.3V(正偏),UCE??4.7V(反偏),放大状态

题图(b):e结反偏,c结反偏,截止状态 题图(c):e结正偏,c结正偏,饱和状态 题图(d):e结开路,晶体管损坏

2.4 NPN型晶体管基区的少数载流子的浓度分布曲线如题图2.4所示,其中nb0表示平

?8V

6.3V

6.6V 3CG21 12V

3V 3DG8 0V

7V (c)

(d)

衡时自由电子的浓度。

(1)说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。 (2)说明每种浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。

np(x)N? P N np(x)N? P N nb0nb0 O O x1(a) x x1(b) x 2

np(x)N? P N np(x)N? P N nb0O nb0O x1(c) ?x 题图2.4 x1(d) x

解:(1)对于NPN晶体管,当发射结(集电结)正偏时,由于从发射区(集电区)向基区注入了非平衡少子电子,所以x?0(x?x1)处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度nb0,当发射结(集电结)反偏时,在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此,可以判别:

(1)图 (a):发射结反偏,集电结反偏。图 (b):发射结正偏,集电结反偏。图 (c):发射结正偏,集电结正偏。图 (d):发射结反偏,集电结反偏。

(2)图 (a):截止。图 (b):放大。图 (c):饱和。图(d):反向放大。

o2.5 某晶体三极管在室温25C时的??80V,UBE(on)?0.65V,ICBO?10pA。试求

70oC的?,UBE(on)和ICBO的数值。

解:?(70oC)??(25oC)?(0.005~0.01)?80?(70?25)?98~116

UBE(70oC)?UBE(25oC)???2.5??70?25??527.5(mV)

ICBO(70oC)?ICBO(25oC)270?2510?226.3pA

2.6 某晶体管的共射输出特性曲线如题图2.6所示 (1) 求IBQ=0.3mA时,Q1、Q2点的β值。 (2) 确定该管的U(BR)CEO和PCM。

3

题图2.6

解:(1)Q1点:??50,Q2点:??0。 (2)U(BR)CEO?40V,PCM?330mW。

2.7 硅晶体管电路如题图2.7所示。设晶体管的UBE(on)工作状态。

9V RB 1V D 0.3V (a)

(b) 题图2.7

(c)

RE 1k? RC T 470k? 2k? 15V RB RC T RE 1k? 100k? 2k? 15V ?0.7V,??100。判别电路的

?a?中,由于UBE?0,因而管子处于截止状态。UC?UCC?12V。解:在题图

题图(b):

IBQ?15?0.7?25?ARB?(1??)RE

ICQ??IBQ?2.5mAUCEQ?15?2.5?3?7.5(V)处于放大状态

4

题图(c):IBQ?71?A,ICQ?7.1mA

UCEQ?15?7.1(2?1)??6.3(V)

不可能,表明晶体管处于饱和状态。

2.8 题图 2.8(a)、(b)所示分别为固定偏置和分压式电流负反馈偏置放大电路。两个电路中的晶体管相同,UBE(on)=0.6V。在20oC时晶体管的β=50,55oC时,β=70。试分别求两种电路在20oC时的静态工作点,以及温度升高到55oC时由于β的变化引起ICQ的改变程度。

UCC(12V)

RB1 30k? RB2 RC 1.8k? T RE UCC(12V)

RB 246k?

RC 2.8k? T 10k? 1k?

(a)

题图2.8

解:题图2.8(a)为固定偏流电路。 (1)20C时

o(b)

IBQ?UCC?UBE?on?12?0.6??0.046mA

RB246 ICQ??IBQ?50?0.046?2.32mA

UCEQ?UCC?ICQRC?12?2.32?2.8?5.5(V) (2)55C时

o??50?50?1%?(55?20)?67.5

ICQ??IBQ?67.5?0.046?3.105mA

UCEQ?UCC?ICQRC?12V?3.105?2.8V?3.306V

ICQ的变化为

?ICQ3.105?2.32 ??33.8%

ICQ2.32

5

联系客服:779662525#qq.com(#替换为@) 苏ICP备20003344号-4 ceshi