内容发布更新时间 : 2025/3/9 12:47:33星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
第二章 PN结
填空题
1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA=1.5×1016cm-3,则室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为( )和( )。
2、在PN结的空间电荷区中,P区一侧带( )电荷,N区一侧带( )电荷。内建电场的方向是从( )区指向( )区。
3、当采用耗尽近似时,N型耗尽区中的泊松方程为( )。由此方程可以看出,掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越( )。
4、PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越( ),内建电场的最大值就越( ),内建电势Vbi就越( ),反向饱和电流I0就越( ),势垒电容CT就越( ),雪崩击穿电压就越( )。
5、硅突变结内建电势Vbi可表为( ),在室温下的典型值为( )伏特。
6、当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )。 7、当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )。 8、在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为( )。若P型区的掺杂浓度NA=1.5×1017cm-3,外加电压V= 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为( )。
9、当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( );当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( )。
10、PN结的正向电流由( )电流、( )电流和( )电流三部分所组成。
11、PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是( );PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是( )。
12、当对PN结外加正向电压时,由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散,一边( )。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的( )。
13、PN结扩散电流的表达式为( )。这个表达式在正向电压下可简化为( ),在反向电压下可简化为( )。
14、在PN结的正向电流中,当电压较低时,以( )电流为主;当电压较高时,以( )电流为主。
15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于( )。在薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为( )。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的( )浓度远小于该区的( )浓度,因此该区总的多子浓度中的( )多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的( )浓度远大于该区的( )浓度,因此该区总的多子浓度中的( )多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是PN结的( )电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越( );外加反向电压越高,则势垒电容就越( )。
19、扩散电容反映的是PN结的( )电荷随外加电压的变化率。正向电流越大,则扩散电容就越( );少子寿命越长,则扩散电容就越( )。
20、在PN结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较大
的反向电流。引起这个电流的原因是存储在( )区中的( )电荷。这个电荷的消失途径有两条,即( )和( )。
21、从器件本身的角度,提高开关管的开关速度的