内容发布更新时间 : 2024/11/18 21:46:03星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
fMS= -0.6eV，
QOX/q= 5× 1011cm-2。若要得到-1.5V的阈电压，应采用沟道区硼离子注入。设注入深度大于沟道下耗尽区最大厚度，则所需的注入浓度为多少？
19、一个以高掺杂P型多晶硅为栅极的P沟道MOSFET，在源与衬底接地时阈电压VT
为-1.5V。当外加5V的衬底偏压后，测得其VT为-2.3V。若栅氧化层厚度为100nm，试求其衬底掺杂浓度。
20、某工作于饱和区的N沟道MOSFET当VGS= 3V时测得IDsat = 1mA ，当VGS = 4V时测得IDsat = 4mA，试求该管的VT与β之值。
21、若N沟道增强型MOSFET的源和衬底接地，栅和漏极相接，试导出描述其电流-电压特性的表达式。
22、P沟Al栅MOSFET具有以下参数：TOX= 100nm，nD= 2× 1015cm-3，QOX/q= 1011cm-2，L =3μm，
Z= 50μm，μp= 230cm2V-1s-1。试计算其阈电压VT；并计算出当VGS= -4V时的饱和漏极电流。
23、某N沟道MOSFET的VT= 1V，β= 4×10-3AV-2，求当VGS= 6V，VDS分别为2V、4V、6V、8V和10V时的漏极电流之值。
24、将Z/L= 5，TOX= 80nm，μn= 600cm2V-1s-1的N沟道MOSFET用作可控电阻器。为了要在VDS较小时获得Ron= 2.5KΩ的电阻，（VGS-VT）应为多少？这时沟道内的电子面密度Qn/Q为多少？
25、试求出习题19中，当外加5V的衬底偏压时，温度升高 10°C所引起的阈电压的变化。
26、铝栅P沟道MOSFET具有以下参数：TOX= 120nm，nD= 1× 1015cm-3，QOX/q= 1011cm-2，L= 10μm，
Z= 50μm，μp= 230cm2V-1s-1。试计算当VGS= -2V，VDS= 5V时的亚阈电流IDsub 。
27、某N沟道MOSFET的VT = 1.5V，β= 6×10-3AV-2，求当VDS= 6V，VGS分别为1.5V、3.5V、5.5V、7.5V和9.5V时的跨导之值。
28、导出N沟道MOSFET饱和区跨导gms和通导电阻Ron的温度系数的表达式