内容发布更新时间 : 2024/10/28 18:29:04星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
??200?5，反射系数的模值：
40
??1 ?1???1?23?j0.4?由lmin1??????0.15?，求得反射系数的相位?1??0.4?，可得复反射系数?1?2，负e34?14载阻抗为：
1??1?322.87?j736.95? Z1?Z1??01并联支节的位置：
l??arctan1?0.15??0.22? 12??并联支节的长度：
??1l????arctan?0.42? 242??7、矩形波导截面尺寸为a?b?72mm?30mm，波导内充满空气，信号源频率为3GHz，试求： （1） 波导中可以传播的模式；
（2） 该模式的截止波长?c、相移常数?、波导波长?g，相速?p、群速和波阻抗。 解：（1）由信号源频率可求得其波长为：
8??c?3?109?10cm
f3?10矩形波导中，TE10、TE20的截止波长为：
?cTE10?2a?14.4cm ， ??a?7.2cm
cTE20可见，波导中只能传输TE10模。 （2）TE10的截止波长为：
??2a?14.4cm
c截止波数为：
k???13.89? ca自由空间的波数为：
k???0?0?20?
所以，相移常数为：
??k2?kc2?45.2
此时，相速和群速分别为：
??p???4.17?108m/s
??d??c1?(?/2a)2?2.16?108m/s gd?波导波长：
??13.9cm ??2?g波阻抗：
Zw?120?1?(?/?)2c?166.8??
8、用BJ－100矩形波导以主模传输10GHz的微波信号，（1）求?c、?g、?和波阻抗Zw；（2）若波导宽边尺寸增加一倍，问上述各量如何变化？（3）若波导窄边尺寸增大一倍，上述各量如何变化？（4）若尺寸不变，工作频率变为15GHz，上述各量如何变化？ 解：BJ－100波导的尺寸：
a?b?22.86mm?10.16mm
信号波长：
??c?3cm?30mm
f（1）
?，k?2? ??2a?45.72mm，k?2?c?cc??40mm ??k2?kc2?50?，??2?gw?120?1?(?/?)2c?159??
Z（2）宽边增大倍。
?，k?2? ??91.44mm，k?2?c?cc??32mm ??k2?kc2?63?，??2?gZw?120?1?(?/?)2c?127??
（3）窄边增大一倍，由于b??2b?20.32mm?a，因而传输的主模仍然为TE10、?c、?、?g、Zw与（1）相同。 （4）波导尺寸不变，
c?2cm f??15GHz，???f?此时波导中存在TE10、TE20TE01三种模式。
对主模TE10来说，
??2a?45.72mm，??k2?kc2?89.92?
c??2.22cm，Z???2?wg120?1?(?/?)2c?133.4??
9、设某系统如题9.1图所示，双口网络为无耗互易对称网络，在终端参考面T2处接匹配负载；测得距参考面T1距离l1?0.125?g处为电压波节点，驻波系数为1.5，试求该双口网络的散射矩阵。 解：参考面T1处的反射系数?，其模值和相位如下：
??gg??1?0.125?，???? ?????0.2，4???2g4l1 因此，有：
???j0.2
Z0 [S] Z0
由〔S〕参数的定义知：
S11????j0.2
T1
Γ
in
T2
根据网络互易：S12?S21，网络对称：S11?S22。 根据网络无耗的性质：
题9.1图
?S???S???I?
S11?S1222得到以下两个方程：
?1
?S?S?S?0S11 121211计算可得：S12?0.98，所以：
?S?????j0.20.98? ??0.98?j0.2?10、设双口网络〔S〕已知，终端接有负载Z1，如题10.1图所示，求输入端的反射系数。 解：由〔S〕参数定义：
b?S11a?S12a 112b?S21a?S22a 212Γ
in
Z0 [S] Z0 Z0
根据终端反射系数的定义：
Z?Z0， a?b??b12Z?Z22110T1
T2
将其代入上式并整理，得：
S 题10.1图
a211 b?S11a?S12?1111?S?221
电子陶瓷的典型材料及应用示例
种 类
典型材料及形态 重要应用示例
Al2O3、AlN、BeO(薄片、膜状多层、条状或异形体)
集成电路(IC)衬底、微波大功率器件散热支撑件、多芯片组装(MCM)用基板及封装
绝缘陶瓷
介质陶瓷
微波陶瓷
BaTiO3、(MgCa)TiO3、 (薄片、膜状多层)
高比容电容器、射频高功率电容器、抗电磁干扰滤波器
微波、毫米波介质谐振器(DRO)、微波电路基片、介质波导及微波天线
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、BaO-TiO2-Nd2O3（薄片）
铁电陶瓷
Pb(ZrxTi1-x)O3、PbTiO3(经极化的烧结体或薄膜)
铁电阴极、非易失性抗辐射铁电随机存储器(FRAM)