内容发布更新时间 : 2025/4/26 17:15:57星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
东北农业大学网络教育学院 电子技术专科网上作业题
半导体器件
一、 判断题
1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( )
2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。( )
3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。( )
4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( )
5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( )
6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。( )
7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。( ) 8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。 ( ) 9．常温下，硅晶体管的UBE＝0．7V，且随温度升高UBE增加。( )
10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。（ ）
11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。( )
12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。( )
13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。( )
14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( )
16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。( )
17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( )
18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且UCE小于BUCEO时，晶体管就能安全工作。( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的β值越大越好。( )
20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。( )
21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( )
22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。( )
24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。（ ）
26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，IB愈小，输入电阻愈小。( )
27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BUCEO的值同工作温度有关，温度越高，BUCEO越大。( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，RBE、rbe都减小。( )
二、 选择题
1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。 A．正常 B．已被击穿 C．内部断路
2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C.截止状态
3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。 A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态
4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，UB＝0．7V，UE＝0V，则该晶体管的工作状态是( )
A．饱和 B．正常放大 C．截止
5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。 A．增大 B．减小 C．不变
6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。 A．大电阻 B．接通的开关 C．断开的开关
7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：UB＝4．7V，UC＝4．3V，UE
＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。
A．饱和状态 B．放大状态 C．截止状态 8．点接触型二极管比较适用于( )
A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关
9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R xl k挡 B．R×1Ω挡 C．R×10kΩ挡
10．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。 A．N型 B．P型 C．本征 11．N型半导体( )，P型半导体( )。
A．带正电 B．带负电 C．呈中性 12．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。
A．多数载流子 B．少数载流子 C．既有多数载流子，也有少数载流子 13．当晶体管饱和时会发生( )。
A．IC随IB 变 B．IC不随IB变 C．IC 随Ube变 D．Ic随β变
14．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。 A．二种 B．三种 C．四种 D．五种
15．场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻( )。 A．大 B．小 C．差不多
16．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。
A．栅极电流 B．栅源电压 C．源极电压 D．源极电流
17．下列半导体材料中热敏性突出（导电性受温度影响最大）的材料是( )。 A．本征半导体 B．N型半导体 C．P型半导体 18．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。 A．温度 B．杂质浓度 C．原本征半导体的纯度
19．P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。 A．正电 B．负电 C．电中性
20．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。 A．变窄 B．变宽 C．不变
21．使晶体管具有放大作用的外部条件是( )。
A．发射结正偏 B．发射结反偏 C．集电结正偏 D．集电结反偏 22．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )
A．电流放大系数β B．反向饱和电流ICBO C．反向击穿电压B UCEO D．耗散功率PCM
三、 填空题
1．半导体按导电类型分为（ ）型半导体与（ ）半导体。
2．N型半导体主要靠（ ）来导电， P型半导体主要靠（ ） 来导电。
3．二极管按所用材料可分为 （ ） 和（ ）两类，按PN结的结构特点可分为 （ ） 型和（ ）型两种。
4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（ ）极。 5．P型半导体中的多数载流子是（ ），少数载流子是（ ） 。 6．N型半导体中的多数载流子是 （ ） ，少数载流子是（ ）。
7．晶体管的三个电极分别称为 （ ） 极、（ ） 极和（ ）极，它们分别用字母（ ）、（ ）和（ ）来表示。
8．由晶体管的输出特性可知，它可分为 （ ）区、（ ）区和 （ ）区三个区域。
9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 （ ） ，另一个叫做（ ）。 10．晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（ ）区的多数载流子浓度高；（ ） 结的面积大；（ ）区尽可能地薄；（ ） 结正向偏置；（ ）结反向偏置。
11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（ ）结正向偏置；（ ） 结反向偏置。
12．晶体管的电流放大作用，是通过改变（ ）电流来控制（ ）电流的，其实质是以（ ）电流控制 （ ） 电流。
13．硅晶体管的饱和电压降为（ ），锗晶体管的饱和电压降为（ ）。