内容发布更新时间 : 2025/4/8 23:58:47星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
东北农业大学网络教育学院 电子技术专科网上作业题
半导体器件
一、 判断题
1.因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。( )
2.晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以基极断开后还可以作为二极管使用。( )
3.P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。( )
4.当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。( )
5.二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。( )
6.当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。( )
7.发射结处于正向偏置的晶体管,则其一定是工作在放大状态。( ) 8.一般情况下,晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。 ( ) 9.常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。( )
10.二极管正向动态电阻的大小,随流过二极管电流的变化而变化,是不固定的。( )
11.用万用表识别二极管的极性时,若测的是二极管的正向电阻,那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极,另一端是负极。( )
12.N型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。( )
13.在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。( )
14.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
15.晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。( )
16.当外加电压为零时,PN结的结电容最小。( )
17.当反向电压小于反向击穿电压时.二极管的反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增大。( )
18.当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流,且UCE小于BUCEO时,晶体管就能安全工作。( ) 19.晶体管的电流放大系数β值越大,说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的β值越大越好。( )
20.场效应管和晶体管一样,均为电流控制元件。( )
21.二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。( )
22.当加在二极管两端的电压一定时,流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。( ) 23.基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流,叫晶体管的穿透电流。( )
24.一般说来,晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,则β增大。( ) 25.稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。( )
26.晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关,IB愈小,输入电阻愈小。( )
27.晶体管的集电极—发射极击穿电压BUCEO的值同工作温度有关,温度越高,BUCEO越大。( ) 28.晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关,温度升高,RBE、rbe都减小。( )
二、 选择题
1.如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管( )。 A.正常 B.已被击穿 C.内部断路
2.当晶体管的两个PN结都正偏时,则晶体管处于( )。 A.饱和状态 B.放大状态 C.截止状态