内容发布更新时间 : 2024/12/23 17:53:19星期一 下面是文章的全部内容请认真阅读。
模电自测练习--填空、选择题（A）
====== 二极管 =======
*******（填空题）********
1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。PN结在 正偏 时导通， 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。PN结具有 单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通 ，加反向电压时，PN结 截止 。导通后，硅管的管压降约为 0.7V ，锗管约为 0.2V 。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。
3、PN结的正向接法是P型区接电源的正 极，N型区接电源的负 极。P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是电子。N型半导体中的多数载流子是 电子 、少数载流子是 空穴 。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。
5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。
8．硅稳压二极管的稳压电路是由 限流电阻 、 硅稳压二极管 与 负载电阻 组成。 6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。
7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。
8．半导体是一种导电能力介于导体 与 绝缘体 之间的物质。半导体按导电类型分为 N 型半导体与 P型半导体。N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠 空穴 来导电。半导体中的空穴带 正 电。9、PN结中的内电场阻止多数载流子的 扩散 运动，促进少数载流子的 漂移 运动。 10．晶体二极管主要参数是 最大正向电流 与 最高反向电压 。
11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅 两类，按PN结的结构特点可分为 点接触型 和面接触型 两种。按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。 12、点接触型晶体二极管因其结电容 小，可用于 高频 和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 大功率 的场合。
13、2AP系列晶体二极管是 锗 材料做成的，其工作温度较 低。2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是 硅材料做成的，其工作温度较 高 。 *********（选择题）***********
1. P 型半导体中的多数载流子是 B ， N 型半导体中的多数载流子是 A 。
A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子
2. 杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。 A. 大于 B. 等于 C. 小于 3. 室温附近 , 当温度升高时 , 杂质半导体中 C 浓度明显增加。 A. 载流子 B. 多数载流子 C. 少数载流子
4．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度D．晶格缺陷 5．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 6. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管B 。 A. 大 B. 小 C. 相等 7. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。
A. 增大 B. 减小 C. 不变
8．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 9．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 10．变容二极管在电路中主要用作( D )。 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 11．当 PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （A ）。 A.多数载流子; B.少数载流子; C.既有多数载流子又有少数载流子
12．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（C ）。A.正常;B.已被击穿; C.内部断路 13．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（B ）。 A.正常; B.已被击穿; C.内部断路
14．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该二极管处于（A）。A.反偏，B.正偏，C.零偏 15．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。 A.增大； B.减小； C.不变
16．在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（B）。A.大电阻；B.接通的开关；C.断开的开关
==== 三极管 ====
1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。硅管以 NPN 型居多，锗管以 PNP 型居多。
2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。
3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。
5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 。
6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。
7．晶体三极管三个电极分别称为发射极、 基极和 集电 极，它们分别用字母E、 b 和 C 表示。
8. 当晶体管工作在放大区时，各极电位关系为： NPN 管的 uC > uB > uE , PNP管的 uC < uB < uE ；工作在饱和区时 iC < βiB ；工作在截止区时，若忽略 ICBO 和 ICEO ，则 iB = 0 ， iC = 0 。
9．由晶体三极管的输出特性可知，它存在 截止区、 放大区和饱和区三个区域。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加正向 电压，集电结须加 反向 电压。
10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做集电结 ，另一个叫做 发射结 。
11．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一（内部条件），使发射区的多数载流子浓度高， 集电 区的面积大， 基 区尽可能地薄；第二（外部条件），使 发射 结正向偏置， 集电结反向偏置。 12．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是 Ｉe=Ｉb＋ＩC 。其中Ic/Ib叫做 直流电流放大系数 ，用字母?表示;ΔIe/ΔIb叫做 交流电流放大系数 ，用字母β表示。
13．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 基极 电流来控制 集电极 电流的，其实质是以 微小电流控制 较大电流。
14．硅晶体三极管发射结的导通电压约为 0.7Ｖ，饱和电压降为 0.3Ｖ ，锗晶体三极管发射结的导通电压约为0.3Ｖ,饱和电压降为 0.1V 。
15．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 正向 电压，集电结必定加正向 或零电压。
16．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为 输入特性曲线 ;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为 输出特性曲线 。
17．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是＿Ｕbe的增量＿和 Ib的增量 的比值。
18晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 较差 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 不稳定 。
19 ．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成共发射极 、 共集极和 共基极三种基本放大电路。 20．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 小得多 ，所以硅三极管的 热稳定性 比锗三极管好。
1、在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 0.2V 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为0.７V时，就认为此二极管为硅二极管。
2、NPN型晶体三极管的发射区是 N型半导体，集电区是N型半导体，基区是P 型半导体。
3、有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6ｍA。若晶体三极管的直流电流放大系数β=50，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 0.12ｍA 。 4．共发射极电路的输入端由发射极和基极组成，输出端由集电极 和 发射极 组成，它不但具有电流 放大、 电压 放大作用，而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。 5．晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的，而场效应晶体管则是以栅极电压控制 漏极电流 的，所以它的输入阻抗很高。
_6．共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 180° ，这是放大器的重要特征，称为 放大器的倒相作用 。
7．常用的耦合方式有 阻容耦合 、 变压器耦合和 直接耦合 三种形式。晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 阻容 耦合电路．
8．放大器的静态是指没有输入信号 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 估算 方法确定，也可以用 图解 方法确定。表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有 Ib 、Ie 和 Uce 。场效应晶体管的静态工作点由 UGS 、 Id 和 UDS 确定。
9．晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为 电压 放大和 功率 放大两类。
10．为了使放大器输出波形不失真，除需设置 适当的静态工作点外，还需要采用 稳定工作点 的方法，
且输入信号幅度要适中。
11．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生 截止 失真；静态工作点设置太高将产生 饱和 失真。
12．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使ＩC的 正 半周及Uce 的 负 半周失真；静态工作点设置太低时，会使Ic的 负半周及Uce的 正半周失真。
13．晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 减小 ；如果Ib减小，则
Uce将 增大 。因此，Ib可以起调节电压作用。
14．在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Ｒb，则静态工作点沿着负载线 上移 ，容易出 现 饱和失真；若增大Rb，工作点沿着负载线 下移 ，容易出现 截止 失真。
15．如果晶体三极管放大器EＣ增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线 右移。在晶体三极放大器中RC减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 陡 。
16．对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 大 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 小 些，
以增大带动负载的能力。
17．由于电容Ｃ具有 隔直流通交流 的作用，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管ｃ、
e极间总电压的 交流 部分。
18．为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在
VCC?Uces（或直流负载线的中点） 。
219、在一个放大电路中，三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（ Si 或 Ge) 、类型（ NPN 或 PNP ）及管脚为哪个极（ e 、 b 或 c ）填入表内。 管号 T1 T2 T3 T1 T2 T3 ① 0.7 6.2 3 ① 管脚 电极 ② 0 6 10 ② 电位 名称 (V) ③ 5 3 3.7 ③ 材料 类型 1．放大电路的输入电压Ui＝10 mV，输出电压U0＝1 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。
2．放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。
3．共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。
*********（选择题）***********
1．当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（ C ）。A.饱和状态;B.放大状态;C.截止状态 2．当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（C ）。A.截止状态;B.放大状态;C.饱和状态 3．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（ A ）。 A.放大状态; B．饱和状态；C.截止状态
4．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将 （ C ）。
A.随基极电流的增加而增加； B.随基极电流的增加而减小，C.与基极电流变化无关，只决定于Uce 5．当晶体三极管的基极电源使发射结反问时，则晶体三极管的集电极电流将（C ）。
管号