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变温霍尔效应

 

摘要:本实验采用范德堡测试方法,利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运?/p>

质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟,

碲镉汞单晶样品等组成?/p>

VTHM

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1

型变温霍尔效?/p>

仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压,

又通过控温的方式测量了碲镉?/p>

单晶样品的霍尔系数,得到并分析了实验与理论对比的

T

R

H

/

1

ln

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曲线

. 

关键词:霍尔效应

  

半导?/p>

  

载流?/p>

 

霍尔系数

 

一:引言

 

对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场,则在垂直于电流和磁场方向上?/p>

一横向电位差出现,这个现象?/p>

1879

年为物理学家霍尔所发现,故称为霍尔效应。在

20

世纪的前半个世纪?/p>

霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展,

特别是在?/p>

导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,

也可用于研究半导体材料电输运特征?/p>

至今仍然?/p>

半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中,采用范德堡测试方法?/p>

测量样品霍尔系数随温度的变化?/p>

 

?/p>

:

实验原理

 

2.1 

半导体内的载流子

 

半导体内载流子的产生有两种不同的机制:本征激发和杂质电离

 

2.1.1

本征激?/p>

 

在一定温度下半导体产生自由电子和空穴?/p>

半导体内的两种载流子?/p>

自由电子和空穴的产生

过程叫做本征激发,

与导带和价带有效能级密度?/p>

导带底和价带顶的能量温度等有关,

确切

地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关?/p>

 

2.1.2

杂质电离

 

绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质?/p>

它们在常温下的导电性质?/p>

主要由浅?/p>

质决定?/p>

从能带角度来看,

就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上,

使硼原子电离?/p>

硼离子,而在价带中留下空穴,

参与导电,这种过程称为杂质电离。由受主杂质电离提供?/p>

穴导电的半导体叫?/p>

P

型半导体,由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做

N

型半导体?/p>

 

2.2 

载流子的电导?/p>

  

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变温霍尔效应

 

摘要:本实验采用范德堡测试方法,利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运?/p>

质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟,

碲镉汞单晶样品等组成?/p>

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型变温霍尔效?/p>

仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压,

又通过控温的方式测量了碲镉?/p>

单晶样品的霍尔系数,得到并分析了实验与理论对比的

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关键词:霍尔效应

  

半导?/p>

  

载流?/p>

 

霍尔系数

 

一:引言

 

对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场,则在垂直于电流和磁场方向上?/p>

一横向电位差出现,这个现象?/p>

1879

年为物理学家霍尔所发现,故称为霍尔效应。在

20

世纪的前半个世纪?/p>

霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展,

特别是在?/p>

导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,

也可用于研究半导体材料电输运特征?/p>

至今仍然?/p>

半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中,采用范德堡测试方法?/p>

测量样品霍尔系数随温度的变化?/p>

 

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:

实验原理

 

2.1 

半导体内的载流子

 

半导体内载流子的产生有两种不同的机制:本征激发和杂质电离

 

2.1.1

本征激?/p>

 

在一定温度下半导体产生自由电子和空穴?/p>

半导体内的两种载流子?/p>

自由电子和空穴的产生

过程叫做本征激发,

与导带和价带有效能级密度?/p>

导带底和价带顶的能量温度等有关,

确切

地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关?/p>

 

2.1.2

杂质电离

 

绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质?/p>

它们在常温下的导电性质?/p>

主要由浅?/p>

质决定?/p>

从能带角度来看,

就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上,

使硼原子电离?/p>

硼离子,而在价带中留下空穴,

参与导电,这种过程称为杂质电离。由受主杂质电离提供?/p>

穴导电的半导体叫?/p>

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型半导体,由施主杂质电离提供电子导电的半导体叫做

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型半导体?/p>

 

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变温霍尔效应

 

摘要:本实验采用范德堡测试方法,利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运?/p>

质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟,

碲镉汞单晶样品等组成?/p>

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型变温霍尔效?/p>

仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压,

又通过控温的方式测量了碲镉?/p>

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关键词:霍尔效应

  

半导?/p>

  

载流?/p>

 

霍尔系数

 

一:引言

 

对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场,则在垂直于电流和磁场方向上?/p>

一横向电位差出现,这个现象?/p>

1879

年为物理学家霍尔所发现,故称为霍尔效应。在

20

世纪的前半个世纪?/p>

霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展,

特别是在?/p>

导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,

也可用于研究半导体材料电输运特征?/p>

至今仍然?/p>

半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中,采用范德堡测试方法?/p>

测量样品霍尔系数随温度的变化?/p>

 

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:

实验原理

 

2.1 

半导体内的载流子

 

半导体内载流子的产生有两种不同的机制:本征激发和杂质电离

 

2.1.1

本征激?/p>

 

在一定温度下半导体产生自由电子和空穴?/p>

半导体内的两种载流子?/p>

自由电子和空穴的产生

过程叫做本征激发,

与导带和价带有效能级密度?/p>

导带底和价带顶的能量温度等有关,

确切

地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关?/p>

 

2.1.2

杂质电离

 

绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质?/p>

它们在常温下的导电性质?/p>

主要由浅?/p>

质决定?/p>

从能带角度来看,

就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上,

使硼原子电离?/p>

硼离子,而在价带中留下空穴,

参与导电,这种过程称为杂质电离。由受主杂质电离提供?/p>

穴导电的半导体叫?/p>

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变温霍尔效应近代物理实验报告_ - 百度文库
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变温霍尔效应

 

摘要:本实验采用范德堡测试方法,利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运?/p>

质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟,

碲镉汞单晶样品等组成?/p>

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仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压,

又通过控温的方式测量了碲镉?/p>

单晶样品的霍尔系数,得到并分析了实验与理论对比的

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关键词:霍尔效应

  

半导?/p>

  

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霍尔系数

 

一:引言

 

对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场,则在垂直于电流和磁场方向上?/p>

一横向电位差出现,这个现象?/p>

1879

年为物理学家霍尔所发现,故称为霍尔效应。在

20

世纪的前半个世纪?/p>

霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展,

特别是在?/p>

导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,

也可用于研究半导体材料电输运特征?/p>

至今仍然?/p>

半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中,采用范德堡测试方法?/p>

测量样品霍尔系数随温度的变化?/p>

 

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:

实验原理

 

2.1 

半导体内的载流子

 

半导体内载流子的产生有两种不同的机制:本征激发和杂质电离

 

2.1.1

本征激?/p>

 

在一定温度下半导体产生自由电子和空穴?/p>

半导体内的两种载流子?/p>

自由电子和空穴的产生

过程叫做本征激发,

与导带和价带有效能级密度?/p>

导带底和价带顶的能量温度等有关,

确切

地说与禁带宽度和温度以及波尔兹曼常数有关?/p>

 

2.1.2

杂质电离

 

绝大部分的重要半导体材料都含有一定量的浅杂质?/p>

它们在常温下的导电性质?/p>

主要由浅?/p>

质决定?/p>

从能带角度来看,

就是价带中的电子激发到禁带中的杂质能级上,

使硼原子电离?/p>

硼离子,而在价带中留下空穴,

参与导电,这种过程称为杂质电离。由受主杂质电离提供?/p>

穴导电的半导体叫?/p>

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载流子的电导?/p>

  

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