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6
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�/p>
2
ç«?/p>
半导体三极管及其基本放大电路
一、填空题
2
ï¼?/p>
1 BJT
用来放大时,应使发射结处äº?/p>
偏置,集电结处于
偏置;而工作在é¥?/p>
和区时,发射结处äº?/p>
偏置,集电结处于
偏置ã€?/p>
2
ï¼?/p>
2
温度升高时,
BJT
的电流放大系æ•?/p>
�/p>
,反向饱和电æµ?/p>
CBO
I
ï¼?/p>
发射结电åŽ?/p>
BE
U
�/p>
2
ï¼?/p>
3
用两个放大电è·?/p>
A
å’?/p>
B
分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时ï¼?
OB
OA
U
U
�/p>
;都接人负载
L
R
电阻时,测得
OB
OA
U
U
�/p>
,由此说明,电路
A
的输出电阻比ç”?
è·?/p>
B
的输出电é˜?/p>
�/p>
2
ï¼?/p>
4
对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用
组态;若希望带负载能力强,应选用
组态;若希望从信号源索取电流小,应é€?/p>
ç”?/p>
组态;若希望高频性能好,应选用
组态ã€?/p>
2
ï¼?/p>
5
FET
是通过改变
来改变漏极电æµ?/p>
(
输出电流
)
的,
所以它是一ä¸?/p>
器件ã€?/p>
2
ï¼?/p>
6 FET
工作在可变电阻区时,
D
i
�/p>
DS
u
基本上是
关系,所以在这个区域中,
FET
çš?/p>
d
�/p>
s
极间可以看成一个由
GS
u
控制çš?/p>
�/p>
2
ï¼?/p>
7 FET
的自偏压电路只适用äº?/p>
构成的放大电路;
分压式自偏压电路中的æ ?
极电é˜?/p>
S
R
一般阻值很大,这是为了
�/p>
二、选择正确答案填写
(
只需选填英文字母
)
2
ï¼?/p>
8 BJT
能起放大作用的内部条件通常是:
(1)
发射区掺杂浓åº?/p>
(a
1
.高ï¼?/p>
b
1
.低ï¼?/p>
c
1
.一èˆ?/p>
)
ï¼?/p>
(2)
基区杂质浓度比发射区杂质浓度
(a
2
.高ï¼?/p>
b
2
.低ï¼?/p>
c
2
.相å�?/p>
)
,基区宽åº?/p>
(a
3
.高ï¼?/p>
b
3
.窄ï¼?/p>
c
3
.一èˆ?/p>
)
;集电结面积比发射结面积
(a
4
.大ï¼?/p>
b
4
.小ï¼?/p>
c
4
.相ç?/p>
)
�/p>
2
ï¼?/p>
9
测得
BJT I
B
=30
μ
A
时,
I
C
=2.4 mA
ï¼?/p>
I
B
=40
μ
A
时,
I
C
=3 mA
,则该管的交流电æµ?/p>
放大系数
�/p>
�/p>
(a
ï¼?/p>
80
ï¼?/p>
b
ï¼?/p>
60
ï¼?/p>
c
ï¼?/p>
75)
�/p>
2
ï¼?/p>
10
用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个
BJT
的类åž?/p>
(
�/p>
NPN
型还æ˜?/p>
PNP
åž?/p>
)
与三个电极时,以测出
最为方ä¾?/p>
(a
.各极间电阻ï¼?/p>
b
.各极对地电位,
c
.各极电æµ?/p>
)
�/p>
2
ï¼?/p>
11
既能放大电压ï¼?/p>
也能放大电流的是
组态放大电路;
可以放大电压ï¼?/p>
但不
能放大电流的æ˜?/p>
组态放大电路;只能放大电流,但不能放大电压的是
组态放大电è·?/p>
(a
.共射,
b
.共集,
c
.共åŸ?/p>
)
�/p>
2
ï¼?/p>
12
�/p>
FET
çš?/p>
I
DSS
�/p>
6 mA
ï¼?/p>
�/p>
I
DQ
自漏极流出,
大小ä¸?/p>
8 mA
ï¼?/p>
则该管是
(a
ï¼?/p>
P
沟道
JFET
ï¼?/p>
b
ï¼?/p>
N
沟道
JFET
ï¼?/p>
c
ï¼?/p>
P
沟道耗尽åž?/p>
IGFET
ï¼?/p>
d
ï¼?/p>
N
沟道耗尽åž?/p>
IGFET
ï¼?/p>
e
ï¼?/p>
P
沟道
增强åž?/p>
IGFET
ï¼?/p>
f
ï¼?/p>
N
沟道增强åž?/p>
IGFET)
�/p>
2
ï¼?/p>
13
P
沟道增强åž?/p>
IGFET
的开启电åŽ?/p>
)
(
th
GS
U
�/p>
(a
1
ï¼?/p>
正值,
b
1
ï¼?/p>
负值,
c
1
ï¼?/p>
é›?