西安交通大学网络教育学?/p>
《电子技术基础》习题三答案
一、单项选择题(本大题共
30
小题,每小题
2
分,?/p>
60
分)
1
、测得处于放大状态的某三极管?/p>
I
B
=30
?/p>
A
时,
I
C
=2.4mA
?/p>
I
B
=40
?/p>
A
时,
I
C
=3mA
;该三极管的交流
放大倍数为(
B
?/p>
A
?/p>
80 B
?/p>
60 C
?/p>
75 D
?/p>
100
2
、图示三极管应用电路中,三极管的
U
BE
= 0.6V
?/p>
?/p>
=50
,如果近似认为三极管集电极与发射极间
饱和电压
U
CES
?/p>
0
,则三极管的集电极电?/p>
I
C
( C )
?/p>
A
、等?/p>
5mA B
、等?/p>
3mA C
、约等于
4mA D
、等?/p>
0
R
B
R
C
I
B
I
C
?nbsp;
=50
+12V
3k
Ω
114k
Ω
3
、图示三极管应用电路中,三极管工作在
( C )
?/p>
A
、截止区
B
、饱和区
C
、放大区
D
、击穿区
R
B
I
B
?nbsp;
=50
+12V
114k
Ω
I
C
4
、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为:管脚①
2.3V
,管脚②
3V
,管脚③
-9V
?
则可判定
( D )
?/p>
A
、该三极管是锗管且管脚①是发射极
B
、该三极管是硅管且管脚③是发射极
C
、该三极管是硅管且管脚①是发射极
D
、该三极管是硅管且管脚②是发射极
5
、增强型
NMOS
管的电路符号是下图中的(
A
?/p>
B
A
B
C
D
6
、图示差动电路,在电路非理想对称的条件下,增?/p>
R
E
对放大电路性能的影响是
( B )
?/p>
A
、提高共模电压放大倍数
B
、提高共模抑制比
C
、提高差模电压放大倍数
D
、增加差模输入电?/p>